一、光刻胶行业相关定义
光刻胶的雏形早在 1826 年就已形成，彼时法国发明家约瑟夫·尼塞福尔·涅普斯（Joseph Nicéphore Niépce）利用涂在抛光锡板上的“犹太沥青”（石油去除挥发性组分后的残留物）拍摄了世界上第一张照片。随后 1839 年苏格兰发明家曼戈·庞东（Mungo Ponton）发现了重铬酸盐明胶的感光潜力，英国科学家威廉·亨利·福克斯·塔尔博特（William Henry Fox Talbot）借助重铬酸盐明胶开发了世界上第一套“光刻系统”，即凹版印刷的先驱。1950s集成电路诞生之前，重铬酸盐明胶体系已经广泛用于印刷领域。
二、光刻胶行业基本情况分析
当前，日本光刻胶企业在全球光刻胶市场中可谓占据绝对的支配地位，全品类半导体光刻胶市场中，东京应化、JSR、住友化学、信越化学、富士胶片等厂商合计占据了 70%的市场份额。EUV 光刻胶市场目前还不具备足够的透明度，仅次于 EUV 光刻胶的 ArF 光刻胶，日本厂商的市场份额合计达到了 93%，可以说全球的高端半导体光刻胶绝大部分依赖日本供应。
三、光刻胶行业产业链分析
光刻胶产业链覆盖范围非常广，上游原材料行业包括感光树脂、增感剂以及溶剂等，下游包括PCB、半导体以及液晶显示器等。
光刻胶主要组分分为树脂、感光剂、溶剂及表面活性剂等添加剂。溶剂主要使光刻胶各组分分散其中，使光刻胶具备流动性，当前半导体和面板光刻胶所用溶剂主要为 PGMEA（丙二醇甲醚醋酸酯，亦简称 PMA）；树脂与感光剂搭配使用，是光刻胶发挥感光作用的主要功能组分，不同类型的光刻胶其树脂和感光剂的成分有很大差别，依感光波长由长到短主要为酚醛树脂-重氮萘醌体系（g 线/i 线）、对羟基苯乙烯-光致产酸剂体系（KrF）、丙烯酸酯-光致产酸剂体系（ArF）、分子玻璃或金属氧化物体系（EUV）。其他添加剂包括表面活性剂、稳定剂等。各类光刻胶中虽然各组分含量存在差异，但树脂含量一般在 20%以下，总体来适用波长越短的光刻胶，其树脂含量越低，溶剂含量越高：g 线/i 线胶的树脂含量在 10-20%左右，KrF 胶树脂含量在 10%以下，ArF 胶及 EUV光刻胶的树脂含量通常在 5%以下。
光刻胶的另一重要组分即为感光剂，g 线/i 线胶及面板胶会使用包括 DNQ（重氮萘醌）在内的光引发剂作为感光剂，而基于化学放大法的现代半导体光刻胶（KrF、ArF、EUV）均使用光致产酸剂作为主要的感光组分。
随着美国针对我国5G行业发起的针对性打击，半导体市场产业链将会面临严峻的挑战，光刻胶设备成为半导体产业链国产化的关键一环，未来我国高端光刻胶国产化进程将会加速，行业市场有望保持快速增长。（fswei）
以上数据资料参考《2020年中国光刻胶市场分析报告-产业规模现状与发展前景研究》。
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光刻胶的雏形早在 1826 年就已形成，彼时法国发明家约瑟夫·尼塞福尔·涅普斯（Joseph Nicéphore Niépce）利用涂在抛光锡板上的“犹太沥青”（石油去除挥发性组分后的残留物）拍摄了世界上第一张照片。随后 1839 年苏格兰发明家曼戈·庞东（Mungo Ponton）发现了重铬酸盐明胶的感光潜力，英国科学家威廉·亨利·福克斯·塔尔博特（William Henry Fox Talbot）借助重铬酸盐明胶开发了世界上第一套“光刻系统”，即凹版印刷的先驱。1950s集成电路诞生之前，重铬酸盐明胶体系已经广泛用于印刷领域。
二、光刻胶行业基本情况分析
当前，日本光刻胶企业在全球光刻胶市场中可谓占据绝对的支配地位，全品类半导体光刻胶市场中，东京应化、JSR、住友化学、信越化学、富士胶片等厂商合计占据了 70%的市场份额。EUV 光刻胶市场目前还不具备足够的透明度，仅次于 EUV 光刻胶的 ArF 光刻胶，日本厂商的市场份额合计达到了 93%，可以说全球的高端半导体光刻胶绝大部分依赖日本供应。
光刻胶与集成电路尺寸
资料来源：公开资料整理
三、光刻胶行业产业链分析
光刻胶产业链覆盖范围非常广，上游原材料行业包括感光树脂、增感剂以及溶剂等，下游包括PCB、半导体以及液晶显示器等。
光刻胶行业产业链结构
资料来源：观研天下数据中心整理
光刻胶主要组分分为树脂、感光剂、溶剂及表面活性剂等添加剂。溶剂主要使光刻胶各组分分散其中，使光刻胶具备流动性，当前半导体和面板光刻胶所用溶剂主要为 PGMEA（丙二醇甲醚醋酸酯，亦简称 PMA）；树脂与感光剂搭配使用，是光刻胶发挥感光作用的主要功能组分，不同类型的光刻胶其树脂和感光剂的成分有很大差别，依感光波长由长到短主要为酚醛树脂-重氮萘醌体系（g 线/i 线）、对羟基苯乙烯-光致产酸剂体系（KrF）、丙烯酸酯-光致产酸剂体系（ArF）、分子玻璃或金属氧化物体系（EUV）。其他添加剂包括表面活性剂、稳定剂等。各类光刻胶中虽然各组分含量存在差异，但树脂含量一般在 20%以下，总体来适用波长越短的光刻胶，其树脂含量越低，溶剂含量越高：g 线/i 线胶的树脂含量在 10-20%左右，KrF 胶树脂含量在 10%以下，ArF 胶及 EUV光刻胶的树脂含量通常在 5%以下。
半导体光刻胶分类及组分
资料来源：CNKI，观研天下数据中心整理
光刻胶的另一重要组分即为感光剂，g 线/i 线胶及面板胶会使用包括 DNQ（重氮萘醌）在内的光引发剂作为感光剂，而基于化学放大法的现代半导体光刻胶（KrF、ArF、EUV）均使用光致产酸剂作为主要的感光组分。
除树脂和感光剂外，溶剂和其他添加剂如流平剂、表面活性剂等，主要作用为使光刻胶形成均匀分散的溶液体系，其中各品种光刻胶所用溶剂绝大多数为丙二醇甲醚乙酸酯，海外简称 PGMEA，国内又简称 PMA。
在光刻胶产业的发展过程中，大量的公司经历了兼并收购，1970s-1980s 期间，主要以欧美的光刻胶生产商为主导，到了 1990s，日本光刻胶生产商 TOK、JSR 逐渐进入到了第一梯队。
在光刻胶产业的发展过程中，大量的公司经历了兼并收购，1970s-1980s 期间，主要以欧美的光刻胶生产商为主导，到了 1990s，日本光刻胶生产商 TOK、JSR 逐渐进入到了第一梯队。
近年来光刻胶行业并购事件
资料来源：观研天下数据中心整理
随着美国针对我国5G行业发起的针对性打击，半导体市场产业链将会面临严峻的挑战，光刻胶设备成为半导体产业链国产化的关键一环，未来我国高端光刻胶国产化进程将会加速，行业市场有望保持快速增长。（fswei）
以上数据资料参考《2020年中国光刻胶市场分析报告-产业规模现状与发展前景研究》。
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