1、我国氮化镓相关的研究持续深入
近年来，快充需求的不断延伸，使得快充技术改进需求迫切，相关快充技术得到突飞猛进的进步。氮化镓作为金属氮化物具有较高的电子迁移率在功率器件方面的性能优势较为突出，以氮化镓技术作为目前快充领域的领先技术，近年来得到了不断地发展。
2016年以来，我国在氮化镓方面的研发投入不断增长，相关的技术不断出现，专利数量在近年来井喷式增长， 2020年以来相关专利已近超过50项。
从氮化镓相关专利申请方向来看，主要以充电器等电源芯片为主，同时射频领域等也有相当数量的技术申请。
2、相关政策的支持
随着我国互联网、半导体产业的进步，我国在各领域数字化的程度不断增长，国内数字化战略作为我国重要的产业战略不断得到政策的支持。
以上数据资料参考《2020年中国氮化镓行业分析报告-市场运营态势与发展前景评估》。
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近年来，快充需求的不断延伸，使得快充技术改进需求迫切，相关快充技术得到突飞猛进的进步。氮化镓作为金属氮化物具有较高的电子迁移率在功率器件方面的性能优势较为突出，以氮化镓技术作为目前快充领域的领先技术，近年来得到了不断地发展。
氮化镓电性能
资料来源：公开数据整理
2016年以来，我国在氮化镓方面的研发投入不断增长，相关的技术不断出现，专利数量在近年来井喷式增长， 2020年以来相关专利已近超过50项。
2016-2020年5月我国氮化镓相关专利数量
资料来源：观研天下数据中心整理
从氮化镓相关专利申请方向来看，主要以充电器等电源芯片为主，同时射频领域等也有相当数量的技术申请。
2019年我国氮化镓相关专利申请方向
资料来源：观研天下数据中心整理
2、相关政策的支持
随着我国互联网、半导体产业的进步，我国在各领域数字化的程度不断增长，国内数字化战略作为我国重要的产业战略不断得到政策的支持。
我国半导体相关产业政策汇总
资料来源：观研天下数据中心整理（zppeng）
以上数据资料参考《2020年中国氮化镓行业分析报告-市场运营态势与发展前景评估》。
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